Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

CSD23285F5T

Name: Texas Instruments CSD23285F5T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23285F5T
Price: 5.96 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

595-CSD23285F5T

Nr prod.:

CSD23285F5T

Produc.:

Texas Instruments

Opis:

MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5

Karta charakterystyki:

CSD23285F5T Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Texas Instruments CSD23285F5T

Na stanie magazynowym: 744

Stany magazynowe:: 744 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	5,96 zł	5,96 zł
	3,79 zł	37,90 zł
	2,18 zł	218,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
	2,18 zł	545,00 zł
	1,87 zł	935,00 zł
	1,68 zł	1 680,00 zł
	1,61 zł	4 025,00 zł
	1,59 zł	15 900,00 zł
	1,56 zł	39 000,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:

CSD23285F5

Opakowanie:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

3,94 zł

Min.:

Podobny produkt

Produc.:

Texas Instruments

Nr prod.:

CSD23285F5

Opis:

MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5T

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Texas Instruments
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PICOSTAR-3
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	12 V
Id – Ciągły prąd drenu:	3.3 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	80 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 6 V, 6 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	950 mV
Qg – ładunek bramki:	4.2 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.4 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PicoStar
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	CN
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	13 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	8.9 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	5 ns
Seria:	CSD23285F5
Wielkość opakowania producenta:	250
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	30 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15 ns
Jednostka masy:	0,700 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

CSD23285F5T Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification (PDF)

SPICE Models

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.