CSD22204WT

Texas Instruments
595-CSD22204WT
CSD22204WT

Produc.:

Opis:
MOSFETs 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 134

Stany magazynowe:
134
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
250
Oczekiwane: 07.09.2026
Średni czas produkcji:
12
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
6,38 zł 6,38 zł
4,08 zł 40,80 zł
2,37 zł 237,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
2,37 zł 592,50 zł
2,04 zł 1 020,00 zł
1,84 zł 1 840,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
3,21 zł
Min.:
1

Podobny produkt

Texas Instruments CSD22204W
Texas Instruments
MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-9
P-Channel
1 Channel
8 V
5 A
14 mOhms
- 6 V, 6 V
450 mV
24.6 nC
- 55 C
+ 150 C
1.7 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: PH
Czas zanikania: 2.29 us
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 18 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 600 ns
Seria: CSD22204W
Wielkość opakowania producenta: 250
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 3.45 us
Typowy czas opóźnienia włączenia: 58 ns
Jednostka masy: 2,500 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Qg and Qgd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.