CSD19537Q3T

Texas Instruments
595-CSD19537Q3T
CSD19537Q3T

Produc.:

Opis:
MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 763

Stany magazynowe:
763
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
23 500
Oczekiwane: 29.06.2026
Średni czas produkcji:
6
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
8,27 zł 8,27 zł
5,29 zł 52,90 zł
3,14 zł 314,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
3,14 zł 785,00 zł
2,72 zł 1 360,00 zł
2,69 zł 2 690,00 zł
2,39 zł 5 975,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
6,80 zł
Min.:
1

Podobny produkt

Texas Instruments CSD19537Q3
Texas Instruments
MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
53 A
14.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: PH
Czas zanikania: 3 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 45 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 3 ns
Seria: CSD19537Q3
Wielkość opakowania producenta: 250
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 10 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 5 ns
Jednostka masy: 24 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

CSD19537Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments CSD19537Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFETs are a 100V 12.1mΩ N-Channel NexFET™ power MOSFET that is designed to minimize losses in power conversion applications. This MOSFET features an ultra-low Qg and Qgd with low thermal resistance. It is also avalanche rated and comes in Pb-Free, halogen free RoHS complant SON-8 3.3mmx3.3mm plastic package. Typical applications include primary side isolated converters and motor control.
Learn More