CSD19531Q5A

Texas Instruments
595-CSD19531Q5A
CSD19531Q5A

Produc.:

Opis:
MOSFETs 100V 5.3mOhm Pwr MOS FET A 595-CSD19531Q A 595-CSD19531Q5AT

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 4 121

Stany magazynowe:
4 121
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
12 500
Oczekiwane: 27.02.2026
Średni czas produkcji:
12
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
8,60 zł 8,60 zł
5,55 zł 55,50 zł
3,77 zł 377,00 zł
3,01 zł 1 505,00 zł
2,93 zł 2 930,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
2,50 zł 6 250,00 zł
2,49 zł 12 450,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
11,57 zł
Min.:
1

Podobny produkt

Texas Instruments CSD19531Q5AT
Texas Instruments
MOSFETs 100V 5.3mOhm NexFET Power MOSFET A 595-C A 595-CSD19531Q5A

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
6.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.7 V
37 nC
- 55 C
+ 150 C
3.3 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 5.2 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 82 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 5.8 ns
Seria: CSD19531Q5A
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 18.4 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 6 ns
Jednostka masy: 87,800 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.