CSD18536KCS

Texas Instruments
595-CSD18536KCS
CSD18536KCS

Produc.:

Opis:
MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 546

Stany magazynowe:
546
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
1 200
Oczekiwane: 27.04.2026
2 050
Oczekiwane: 18.06.2026
Średni czas produkcji:
6
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
19,35 zł 19,35 zł
10,11 zł 101,10 zł
10,06 zł 1 006,00 zł
9,12 zł 4 560,00 zł
8,26 zł 8 260,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
349 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.4 V
108 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
NexFET
Tube
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 312 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 5 ns
Seria: CSD18536KCS
Wielkość opakowania producenta: 50
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 24 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 11 ns
Jednostka masy: 2 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99