CSD18514Q5AT

Texas Instruments
595-CSD18514Q5AT
CSD18514Q5AT

Produc.:

Opis:
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 19 176

Stany magazynowe:
19 176 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
6 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
5,89 zł 5,89 zł
4,56 zł 45,60 zł
2,73 zł 273,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
2,73 zł 682,50 zł
2,26 zł 1 130,00 zł
2,22 zł 2 220,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
4,64 zł
Min.:
1

Podobny produkt

Texas Instruments CSD18514Q5A
Texas Instruments
MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18514Q5AT

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
40 V
50 A
6 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
38 nC
- 55 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 6 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 59 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 22 ns
Seria: CSD18514Q5A
Wielkość opakowania producenta: 250
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 14 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 13 ns
Jednostka masy: 84,200 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.