CSD18501Q5A

Texas Instruments
595-CSD18501Q5A
CSD18501Q5A

Produc.:

Opis:
MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 322

Stany magazynowe:
1 322
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
2 500
Oczekiwane: 15.06.2026
Średni czas produkcji:
12
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
10,28 zł 10,28 zł
6,79 zł 67,90 zł
4,90 zł 490,00 zł
4,18 zł 2 090,00 zł
3,99 zł 3 990,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
3,88 zł 9 700,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
40 V
161 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.4 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: CN
Kraj wytworzenia: CN
Kraj pochodzenia: CN
Zestaw projektowy: EVMX777BG-01-00-00, EVMX777G-01-20-00
Czas zanikania: 3.4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 118 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 10 ns
Seria: CSD18501Q5A
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 20 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 4.7 ns
Jednostka masy: 87,800 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

CSD1850xQ5A 40V N-Channel NexFET Power MOSFETs

Texas Instruments CSD1850xQ5A devices are 40V N-Channel NexFET Power MOSFETs that are designed to minimize losses in power conversion applications. TI CSD18501Q5A features RDS(ON) Max @ VGS=4.5V of 4.3mΩ and RDS(ON) Max @ VGS=10V of 3.2mΩ while CSD18503Q5A features RDS(ON) Max @ VGS=4.5V of 6.2mΩ and RDS(ON) Max @ VGS=10V of 4.3mΩ. CSD18504Q5A features RDS(ON) Max @ VGS=4.5V of 9.8mΩ and RDS(ON) Max @ VGS=10V of 6.6mΩ. Texas Instruments CSD1850xQ5A 40V N-channel NexFET Power MOSFETs are ideal for use in DC-DC conversion, secondary side synchronous rectifier, and battery motor control applications.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.