CSD17579Q3AT

Texas Instruments
595-CSD17579Q3AT
CSD17579Q3AT

Produc.:

Opis:
MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q3A

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Texas Instruments CSD17579Q3AT

Na stanie magazynowym: 1 359

Stany magazynowe:
1 359 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
6 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
7,18 zł 7,18 zł
4,58 zł 45,80 zł
2,68 zł 268,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
2,68 zł 670,00 zł
2,60 zł 1 300,00 zł
2,31 zł 2 310,00 zł
2,00 zł 5 000,00 zł
1,97 zł 9 850,00 zł
1,96 zł 19 600,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
20 A
11.8 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
5.3 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: CN
Kraj wytworzenia: CN
Kraj pochodzenia: CN
Czas zanikania: 1 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 37 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 5 ns
Seria: CSD17579Q3A
Wielkość opakowania producenta: 250
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 11 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 2 ns
Jednostka masy: 27,300 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Models

SPICE Models

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.