CSD17551Q3A

Texas Instruments
595-CSD17551Q3A
CSD17551Q3A

Produc.:

Opis:
MOSFETs 30V N-Chnl MOSFET A 595-CSD17578Q3A A 59 A 595-CSD17578Q3A

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 6 332

Stany magazynowe:
6 332
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
12 500
Oczekiwane: 09.03.2026
Średni czas produkcji:
6
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
4,18 zł 4,18 zł
2,61 zł 26,10 zł
1,72 zł 172,00 zł
1,33 zł 665,00 zł
1,20 zł 1 200,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
1,07 zł 2 675,00 zł
1,01 zł 5 050,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Podobny produkt

Texas Instruments CSD17578Q3A
Texas Instruments
MOSFETs CSD17578Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17578 A 595-CSD17578Q3AT

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
48 A
9 mOhms
- 20 V, 20 V
1.1 V
6 nC
- 55 C
+ 150 C
2.6 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Czas zanikania: 3.4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 101 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 24 ns
Seria: CSD17551Q3A
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 12 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 8 ns
Jednostka masy: 27,600 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.