CSD17484F4

Texas Instruments
595-CSD17484F4
CSD17484F4

Produc.:

Opis:
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17484F4T

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
27 000
Oczekiwane: 26.03.2026
Średni czas produkcji:
12
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
1,55 zł 1,55 zł
1,08 zł 10,80 zł
0,675 zł 67,50 zł
0,456 zł 228,00 zł
0,404 zł 404,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,357 zł 1 071,00 zł
0,305 zł 1 830,00 zł
0,271 zł 2 439,00 zł
0,228 zł 5 472,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
30 V
3 A
128 mOhms
- 12 V, 12 V
650 mV
920 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 4 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 1 ns
Seria: CSD17484F4
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 11 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 3 ns
Jednostka masy: 0,400 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.