Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

CSD17381F4

Name: Texas Instruments CSD17381F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17381F4
Price: 1.48 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

595-CSD17381F4

Nr prod.:

CSD17381F4

Produc.:

Texas Instruments

Opis:

MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T

Karta charakterystyki:

CSD17381F4 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Texas Instruments CSD17381F4

Na stanie magazynowym: 1 504

Stany magazynowe:: 1 504

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 6 000

Oczekiwane: 02.04.2026
Średni czas produkcji:: 12

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	1,48 zł	1,48 zł
	0,916 zł	9,16 zł
	0,576 zł	57,60 zł
	0,434 zł	217,00 zł
	0,378 zł	378,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,323 zł	969,00 zł
	0,284 zł	1 704,00 zł
	0,245 zł	2 205,00 zł
	0,241 zł	5 784,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:

CSD17381F4T

Opakowanie:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

5,16 zł

Min.:

Podobny produkt

Produc.:

Texas Instruments

Nr prod.:

CSD17381F4T

Opis:

MOSFETs 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17381 A 595-CSD17381F4

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Texas Instruments
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PICOSTAR-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	3.1 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	109 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 8 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	650 mV
Qg – ładunek bramki:	1.04 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	500 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	NexFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Zestaw projektowy:	CSD1FNCHEVM-889
Czas zanikania:	3.6 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	4.8 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	1.4 ns
Seria:	CSD17381F4
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	10.8 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	3.4 ns
Jednostka masy:	0,400 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

PCN

SPICE Models

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.