Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

CSD16409Q3

Name: Texas Instruments CSD16409Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16409Q3
Price: 6.38 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

595-CSD16409Q3

Nr prod.:

CSD16409Q3

Produc.:

Texas Instruments

Opis:

MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs

Karta charakterystyki:

CSD16409Q3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Texas Instruments CSD16409Q3

Na stanie magazynowym: 2 322

Stany magazynowe:: 2 322 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 6 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	6,38 zł	6,38 zł
	4,01 zł	40,10 zł
	2,65 zł	265,00 zł
	2,10 zł	1 050,00 zł
	1,87 zł	1 870,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	1,71 zł	4 275,00 zł
	1,64 zł	8 200,00 zł
	1,59 zł	15 900,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Texas Instruments
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	VSON-CLIP-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	25 V
Id – Ciągły prąd drenu:	100 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	9.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 16 V, 16 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	4 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	2.6 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	NexFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	3.4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	38 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	10.6 ns
Seria:	CSD16409Q3
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	6.3 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	6.5 ns
Jednostka masy:	41,800 mg