Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

CSD16408Q5C

Name: Texas Instruments CSD16408Q5C
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16408Q5C
Price: 8.99 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

595-CSD16408Q5C

Nr prod.:

CSD16408Q5C

Produc.:

Texas Instruments

Opis:

MOSFETs DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

CSD16408Q5C Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 270

Stany magazynowe:: 270 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 270 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	8,99 zł	8,99 zł
	5,75 zł	57,50 zł
	3,94 zł	394,00 zł
	3,26 zł	1 630,00 zł
	3,02 zł	3 020,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	2,82 zł	7 050,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Texas Instruments
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	VSON-CLIP-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	25 V
Id – Ciągły prąd drenu:	100 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	5.4 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 16 V, 16 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.8 V
Qg – ładunek bramki:	6.7 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	3.1 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	NexFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	10.8 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	60 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	25 ns
Seria:	CSD16408Q5C
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	11 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11.3 ns
Jednostka masy:	105,800 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.