Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

CSD16301Q2

Name: Texas Instruments CSD16301Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16301Q2
Price: 2.71 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

595-CSD16301Q2

Nr prod.:

CSD16301Q2

Produc.:

Texas Instruments

Opis:

MOSFETs N-Channel NexFET Pow er MOSFET

Karta charakterystyki:

CSD16301Q2 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Texas Instruments CSD16301Q2

Na stanie magazynowym: 34 277

Stany magazynowe:: 34 277 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	2,71 zł	2,71 zł
	1,66 zł	16,60 zł
	1,08 zł	108,00 zł
	0,823 zł	411,50 zł
	0,735 zł	735,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,634 zł	1 902,00 zł
	0,58 zł	3 480,00 zł
	0,554 zł	4 986,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Texas Instruments
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	WSON-6
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	25 V
Id – Ciągły prąd drenu:	5 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	24 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 8 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	900 mV
Qg – ładunek bramki:	2 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	15 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	NexFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	TW
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	1.7 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	4.4 ns
Seria:	CSD16301Q2
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	4.1 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	2.7 ns
Jednostka masy:	8,700 mg