Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

CSD13385F5

Name: Texas Instruments CSD13385F5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13385F5
Price: 2.28 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

595-CSD13385F5

Nr prod.:

CSD13385F5

Produc.:

Texas Instruments

Opis:

MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5T

Karta charakterystyki:

CSD13385F5 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Texas Instruments CSD13385F5

Na stanie magazynowym: 5 700

Stany magazynowe:: 5 700 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 6 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	2,28 zł	2,28 zł
	1,40 zł	14,00 zł
	0,89 zł	89,00 zł
	0,676 zł	338,00 zł
	0,605 zł	605,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,512 zł	1 536,00 zł
	0,466 zł	2 796,00 zł
	0,399 zł	3 591,00 zł
	0,395 zł	9 480,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:

CSD13385F5T

Opakowanie:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

5,42 zł

Min.:

Podobny produkt

Produc.:

Texas Instruments

Nr prod.:

CSD13385F5T

Opis:

MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Texas Instruments
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PICOSTAR-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	12 V
Id – Ciągły prąd drenu:	7.1 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	19 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 8 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	500 mV
Qg – ładunek bramki:	5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.4 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	NexFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	PH
Kraj wytworzenia:	CN
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	10 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	11.3 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	10 ns
Seria:	CSD13385F5
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	33 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	7 ns
Jednostka masy:	0,700 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

SPICE Models

Technical Resources

CSD13385F5 TINA-TI Reference Design

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.