CSD13381F4

Texas Instruments
595-CSD13381F4
CSD13381F4

Produc.:

Opis:
MOSFETs 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A A 595-CSD13381F4T

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Texas Instruments CSD13381F4

Na stanie magazynowym: 21 354

Stany magazynowe:
21 354 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
6 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
1,33 zł 1,33 zł
0,993 zł 9,93 zł
0,568 zł 56,80 zł
0,387 zł 193,50 zł
0,305 zł 305,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,249 zł 747,00 zł
0,219 zł 1 314,00 zł
0,189 zł 1 701,00 zł
0,176 zł 4 224,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
CSD13381F4T
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
1,52 zł
Min.:
1

Podobny produkt

Texas Instruments CSD13381F4T
Texas Instruments
MOSFETs 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4
Porównaj z aktualną częścią

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
12 V
2.1 A
180 mOhms
- 8 V, 8 V
650 mV
1.06 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 3.8 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 1.5 ns
Seria: CSD13381F4
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel FemtoFET MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 11 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 3.7 ns
Jednostka masy: 0,400 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854239099
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.