Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

CSD13302WT

Name: Texas Instruments CSD13302WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13302WT
Price: 5.8 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

595-CSD13302WT

Nr prod.:

CSD13302WT

Produc.:

Texas Instruments

Opis:

MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13302W

Karta charakterystyki:

CSD13302WT Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 6 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	5,80 zł	5,80 zł
	3,68 zł	36,80 zł
	1,97 zł	197,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
	1,97 zł	492,50 zł
	1,68 zł	840,00 zł
	1,67 zł	4 175,00 zł
	1,57 zł	7 850,00 zł
	1,55 zł	15 500,00 zł
	1,46 zł	36 500,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:

CSD13302W

Opakowanie:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

2,57 zł

Min.:

Podobny produkt

Produc.:

Texas Instruments

Nr prod.:

CSD13302W

Opis:

MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13302WT

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Texas Instruments
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DSBGA-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	12 V
Id – Ciągły prąd drenu:	1.6 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	17.1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, 10 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	700 mV
Qg – ładunek bramki:	7.8 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.8 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	NexFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	7 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	10 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	7 ns
Seria:	CSD13302W
Wielkość opakowania producenta:	250
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	17 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	6 ns
Jednostka masy:	200 mg