Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

CSD13201W10

Name: Texas Instruments CSD13201W10
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13201W10
Price: 2.07 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

595-CSD13201W10

Nr prod.:

CSD13201W10

Produc.:

Texas Instruments

Opis:

MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET

Karta charakterystyki:

CSD13201W10 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Texas Instruments CSD13201W10

Na stanie magazynowym: 7 981

Stany magazynowe:: 7 981 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 6 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	2,07 zł	2,07 zł
	1,26 zł	12,60 zł
	0,821 zł	82,10 zł
	0,619 zł	309,50 zł
	0,542 zł	542,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,469 zł	1 407,00 zł
	0,426 zł	2 556,00 zł
	0,378 zł	3 402,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Texas Instruments
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DSBGA-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	12 V
Id – Ciągły prąd drenu:	1.6 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	34 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 8 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	650 mV
Qg – ładunek bramki:	2.3 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.2 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	NexFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	PH
Kraj wytworzenia:	CN
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	9.7 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	23 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	5.9 ns
Seria:	CSD13201W10
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	14.4 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	3.9 ns
Jednostka masy:	1,100 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

CSD13201W10 Karta charakterystyki

Images

PCN

SPICE Models

CSD13201W10 PSpice Model (Rev. A)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.