Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

TSM60NB1R4CP ROG

Name: Taiwan Semiconductor TSM60NB1R4CP ROG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM60NB1R4CPROG
Price: 7.1 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

821-TSM60NB1R4CPROG

Nr prod.:

TSM60NB1R4CP ROG

Produc.:

Taiwan Semiconductor

Opis:

MOSFETs 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

TSM60NB1R4CP ROG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 4 976

Stany magazynowe:: 4 976 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 4976 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	7,10 zł	7,10 zł
	4,54 zł	45,40 zł
	3,01 zł	301,00 zł
	2,47 zł	1 235,00 zł
	2,23 zł	2 230,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	1,96 zł	4 900,00 zł

Podobny produkt

Produc.:

Taiwan Semiconductor

Nr prod.:

TSM60NC1R5CP ROG

Opis:

MOSFETs 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Taiwan Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	3 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	7.12 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	28.4 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Taiwan Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	TW
Czas zanikania:	8.4 ns
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	11.4 ns
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	28 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	13.8 ns
Nazwy umowne nr części:	TSM60NB1R4CP
Jednostka masy:	330 mg