Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

TSM2537CQ RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM2537CQ RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM2537CQRFG
Price: 3.57 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

821-TSM2537CQRFG

Nr prod.:

TSM2537CQ RFG

Produc.:

Taiwan Semiconductor

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 18 406 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	3,57 zł	3,57 zł
	2,23 zł	22,30 zł
	1,45 zł	145,00 zł
	1,12 zł	560,00 zł
	1,01 zł	1 010,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,865 zł	2 595,00 zł
	0,798 zł	4 788,00 zł
	0,697 zł	6 273,00 zł
	0,676 zł	16 224,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Taiwan Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TDFN22-6
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel, P-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	20 V
Id – Ciągły prąd drenu:	9 A, 11.6 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	17 mOhms, 48 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 12 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	500 mV, 450 mV
Qg – ładunek bramki:	9.1 nC, 9.8 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	6.25 W, 6.25 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Taiwan Semiconductor
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	30 ns, 68 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	28 S, 15 S
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	41 ns, 34 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	N- and P-Channel Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	25 ns, 69 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8 ns, 10 ns
Nazwy umowne nr części:	TSM2537CQ
Jednostka masy:	94,742 mg