Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

TSM250N02DCQ RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM250N02DCQ RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM250N02DCQRFG
Price: 3.03 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

821-TSM250N02DCQRFG

Nr prod.:

TSM250N02DCQ RFG

Produc.:

Taiwan Semiconductor

Opis:

MOSFETs 20V, 5.8A, Dual N-Channel Power MOSFET

Karta charakterystyki:

TSM250N02DCQ RFG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 13 061

Stany magazynowe:: 13 061 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	3,03 zł	3,03 zł
	1,87 zł	18,70 zł
	1,21 zł	121,00 zł
	0,932 zł	466,00 zł
	0,84 zł	840,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,718 zł	2 154,00 zł
	0,714 zł	6 426,00 zł
	0,647 zł	15 528,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Taiwan Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TDFN-6
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	20 V
Id – Ciągły prąd drenu:	5.8 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	20 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, 10 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	400 mV
Qg – ładunek bramki:	7.7 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	620 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Taiwan Semiconductor
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	TW
Czas zanikania:	7.6 ns
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	11.6 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	23.9 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	4.1 ns
Nazwy umowne nr części:	TSM250N02DCQ
Jednostka masy:	61,816 mg