Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

TSM2308CX RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM2308CX RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM2308CX-RFG
Price: 3.83 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

821-TSM2308CX-RFG

Nr prod.:

TSM2308CX RFG

Produc.:

Taiwan Semiconductor

Opis:

MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET

Karta charakterystyki:

TSM2308CX RFG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 19 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	3,83 zł	3,83 zł
	2,39 zł	23,90 zł
	1,56 zł	156,00 zł
	1,21 zł	605,00 zł
	1,09 zł	1 090,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,941 zł	2 823,00 zł
	0,886 zł	5 316,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Taiwan Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-23-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	3 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	130 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.2 V
Qg – ładunek bramki:	3.99 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.25 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Taiwan Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	2.4 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	17.5 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	14.2 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	5.3 ns
Jednostka masy:	8 mg