Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

TSM085N03PQ33 RGG

Name: Taiwan Semiconductor TSM085N03PQ33 RGG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM085N03PQ33RGG
Price: 3.54 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

821-TSM085N03PQ33RGG

Nr prod.:

TSM085N03PQ33 RGG

Produc.:

Taiwan Semiconductor

Opis:

MOSFETs 30V, 52A, Single N-Channel Power MOSFET

Karta charakterystyki:

TSM085N03PQ33 RGG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 2 810

Stany magazynowe:: 2 810 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	3,54 zł	3,54 zł
	2,21 zł	22,10 zł
	1,43 zł	143,00 zł
	1,10 zł	550,00 zł
	0,903 zł	903,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	0,806 zł	4 030,00 zł
	0,71 zł	7 100,00 zł
	0,68 zł	17 000,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Taiwan Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PDFN33-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	13 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	6.2 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	14.3 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	37 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Taiwan Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	TW
Czas zanikania:	8.2 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	12.5 ns
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	27.6 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	4.8 ns
Nazwy umowne nr części:	TSM085N03PQ33
Jednostka masy:	304,151 mg