Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

TSM007NM03LCR RGG

Name: Taiwan Semiconductor TSM007NM03LCR RGG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM007NM03LCRRGG
Price: 11.26 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

821-TSM007NM03LCRRGG

Nr prod.:

TSM007NM03LCR RGG

Produc.:

Taiwan Semiconductor

Opis:

MOSFETs 30V, 120A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

TSM007NM03LCR RGG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 4 478

Stany magazynowe:: 4 478 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	11,26 zł	11,26 zł
	7,31 zł	73,10 zł
	5,12 zł	512,00 zł
	4,15 zł	2 075,00 zł
	4,01 zł	4 010,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	3,72 zł	18 600,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Taiwan Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PDFN56-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	384 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	700 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.2 V
Qg – ładunek bramki:	208 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	156 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Taiwan Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	TW
Czas zanikania:	123 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	97 ns
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	159 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	21 ns
Nazwy umowne nr części:	TSM007NM03LCR
Jednostka masy:	130 mg