Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

MMBT3906 RFG

Name: Taiwan Semiconductor MMBT3906 RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-MMBT3906RFG
Price: 0.58 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

821-MMBT3906RFG

Nr prod.:

MMBT3906 RFG

Produc.:

Taiwan Semiconductor

Opis:

Bipolar Transistors - BJT -40V, -0.2A, PNP Bipolar Transistor

Karta charakterystyki:

MMBT3906 RFG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Taiwan Semiconductor MMBT3906 RFG

Na stanie magazynowym: 15 005

Stany magazynowe:: 15 005 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 23 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	0,58 zł	0,58 zł
	0,357 zł	3,57 zł
	0,218 zł	21,80 zł
	0,16 zł	80,00 zł
	0,143 zł	143,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,109 zł	327,00 zł
	0,101 zł	606,00 zł
	0,084 zł	756,00 zł
	0,071 zł	1 704,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Taiwan Semiconductor
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-23-3
Polaryzacja tranzystora:	PNP
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	200 mA
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	40 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	40 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	5 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	400 mV
Pd – strata mocy:	350 mW
Wzmacniacze GBP fT:	250 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	MMBT390
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Taiwan Semiconductor
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	TW
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Nazwy umowne nr części:	MMBT3906

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MMBT3906 RFG Karta charakterystyki

Models

MMBT3906 RFG Symbol & Footprint by SnapMagic

RoHS Certificate (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541100030
USHTS:: 8541210075
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

MMBT3906 PNP Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3906 PNP Bipolar Transistor is designed to achieve low power loss and high surge current capability. This transistor delivers high efficiency and is ideal for automated placement. The MMBT3906 transistor is designed with -40V of collector-to-base voltage (V_CBO), -40V of collector-to-emitter voltage (V_CEO), and -5V of emitter-to-base voltage (V_EBO). This transistor features a collector current of -200mA and a power dissipation (P_D) of 350mW. The MMBT3906 PNP transistor offers a Moisture Sensitivity Level (MSL-1) as per the J-STD-020 standards and is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards. Ideally, this transistor is used in Switching Mode Power Supply (SMPS), adapters, on-board DC/DC converters, and lighting applications.