Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STWA65N60DM6

Name: STMicroelectronics STWA65N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA65N60DM6
Price: 26.62 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STWA65N60DM6

Nr prod.:

STWA65N60DM6

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STWA65N60DM6 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STWA65N60DM6

Na stanie magazynowym: 589

Stany magazynowe:: 589 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 589 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	26,62 zł	26,62 zł
	19,69 zł	196,90 zł
	15,91 zł	1 591,00 zł
	13,80 zł	8 280,00 zł
	12,08 zł	14 496,00 zł
10 200	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	38 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	71 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.25 V
Qg – ładunek bramki:	54 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	250 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	MDmesh
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	DM6
Wielkość opakowania producenta:	600
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	6 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STWA65N60DM6 Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Q_g), very low recovery charge (Q_rr), low recovery time (t_rr), and an excellent R_DS(on) per area.