Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STW5NK100Z

Name: STMicroelectronics STW5NK100Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW5NK100Z
Price: 20.45 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STW5NK100Z

Nr prod.:

STW5NK100Z

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STW5NK100Z Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STW5NK100Z

Na stanie magazynowym: 523

Stany magazynowe:: 523

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 600

Oczekiwane: 11.06.2026
Średni czas produkcji:: 20

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	20,45 zł	20,45 zł
	11,47 zł	114,70 zł
	9,49 zł	949,00 zł
	9,24 zł	5 544,00 zł
	8,15 zł	9 780,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	3.5 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.7 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	42 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	125 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	SuperMESH
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	19 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	4 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	7.7 ns
Seria:	STW5NK100Z
Wielkość opakowania producenta:	600
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	51.5 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	22.5 ns
Jednostka masy:	6 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STW5NK100Z Karta charakterystyki (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.