Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STW56N60DM2

Name: STMicroelectronics STW56N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW56N60DM2
Price: 31.75 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STW56N60DM2

Nr prod.:

STW56N60DM2

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STW56N60DM2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STW56N60DM2

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 600

Oczekiwane: 20.07.2026
Średni czas produkcji:: 20

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	31,75 zł	31,75 zł
	18,48 zł	184,80 zł
	15,58 zł	1 558,00 zł
	14,66 zł	8 796,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Tryb kanału:	Enhancement
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	SG
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	SG
Czas zanikania:	12 ns
Id – Ciągły prąd drenu:	50 A
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Styl mocowania:	Through Hole
Liczba kanałów:	1 Channel
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Pd – strata mocy:	360 W
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Qg – ładunek bramki:	90 nC
Rds On – rezystancja dren–źródło:	60 mOhms
Czas narastania:	60 ns
Seria:	STW56N60DM2
Wielkość opakowania producenta:	600
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	Si
Nazwa handlowa:	MDmesh
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	130 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	24 ns
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Jednostka masy:	6 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STW56N60DM2 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.