Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

STS10DN3LH5

Name: STMicroelectronics STS10DN3LH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STS10DN3LH5
Price: 1.82 PLN
Availability: Discontinued

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STS10DN3LH5

Nr prod.:

STS10DN3LH5

Produc.:

STMicroelectronics

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 13 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 2500 Wielokrotności: 2500

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	1,82 zł	4 550,00 zł
	1,81 zł	9 050,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOIC-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	10 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	21 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 22 V, 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	4.6 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	2.5 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	STripFET
Opakowanie:	Reel
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	IT
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	STS10DN3LH5
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Jednostka masy:	74 mg