Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

STQ2NK60ZR-AP

Name: STMicroelectronics STQ2NK60ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ2NK60ZR-AP
Price: 4.01 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STQ2NK60ZR-AP

Nr prod.:

STQ2NK60ZR-AP

Produc.:

STMicroelectronics

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 94 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 94 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,01 zł	4,01 zł
	2,49 zł	24,90 zł
	1,63 zł	163,00 zł
	1,26 zł	630,00 zł
	1,18 zł	1 180,00 zł
Komplet Opakowanie Ammo (zamówienie w wielokrotności 2000)
	0,941 zł	1 882,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-92-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	400 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	8 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	10 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	45 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	SuperMESH
Opakowanie:	Ammo Pack
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	25 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	30 ns
Seria:	STQ2NK60ZR-AP
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	22 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8 ns
Jednostka masy:	453,600 mg