Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

STQ1HNK60R-AP

Name: STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ1HNK60R-AP
Price: 4.01 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STQ1HNK60R-AP

Nr prod.:

STQ1HNK60R-AP

Produc.:

STMicroelectronics

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 7 435 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,01 zł	4,01 zł
	2,49 zł	24,90 zł
	1,63 zł	163,00 zł
	1,26 zł	630,00 zł
	1,14 zł	1 140,00 zł
Komplet Opakowanie Ammo (zamówienie w wielokrotności 2000)
	1,01 zł	2 020,00 zł
	0,899 zł	3 596,00 zł
	0,865 zł	8 650,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-92-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	400 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	8.5 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.25 V
Qg – ładunek bramki:	10 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	3 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Ammo Pack
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	SG
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	SG
Czas zanikania:	25 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	5 ns
Seria:	STQ1HNK60R
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	19 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	6.5 ns
Jednostka masy:	453,600 mg