STPSC406B-TR

STMicroelectronics
511-STPSC406B-TR
STPSC406B-TR

Produc.:

Opis:
SiC Schottky Diodes 600 V Power Schottky Diode
Dokończ swój projekt

Cykl życia:
NRND:
Niezalecane dla nowych projektów.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STPSC406B-TR

Na stanie magazynowym: 680

Stany magazynowe:
680 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
19 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
9,29 zł 9,29 zł
5,93 zł 59,30 zł
4,11 zł 411,00 zł
3,28 zł 1 640,00 zł
3,19 zł 3 190,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
2,76 zł 6 900,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:  
SMD/SMT
DPAK
Single
4 A
600 V
1.9 V
14 A
50 uA
- 40 C
+ 175 C
STPSC
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Rodzaj produktu: SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Diodes & Rectifiers
Jednostka masy: 1,700 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
8541100901
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.