Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

STP80PF55

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STP80PF55

Nr prod.:

STP80PF55

Produc.:

STMicroelectronics

Cykl życia:

Przestarzały/nieaktualny

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Alert dotyczący wysyłki:

Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
Ograniczenia dotyczące wysyłki	Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	55 V
Id – Ciągły prąd drenu:	80 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	18 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 16 V, 16 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	190 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	300 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MA
Czas zanikania:	80 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	32 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	190 ns
Seria:	STP80PF55
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	165 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	35 ns
Jednostka masy:	2 g