Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STP3N80K5

Name: STMicroelectronics STP3N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP3N80K5
Price: 7.74 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STP3N80K5

Nr prod.:

STP3N80K5

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STP3N80K5 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STP3N80K5

Na stanie magazynowym: 181

Stany magazynowe:: 181 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 181 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	7,74 zł	7,74 zł
	3,74 zł	37,40 zł
	3,34 zł	334,00 zł
	2,65 zł	1 325,00 zł
	2,43 zł	2 430,00 zł
	2,25 zł	4 500,00 zł
	2,14 zł	10 700,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	800 V
Id – Ciągły prąd drenu:	2.5 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.8 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	9.5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	60 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	MDmesh
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	25 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	7.5 ns
Seria:	STP3N80K5
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	20.5 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8.5 ns
Jednostka masy:	2 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STP3N80K5 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R_DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.