Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

STP190N55LF3

Name: STMicroelectronics STP190N55LF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP190N55LF3
Price: 8.32 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STP190N55LF3

Nr prod.:

STP190N55LF3

Produc.:

STMicroelectronics

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 13 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1000 Wielokrotności: 1000

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	8,32 zł	8 320,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	55 V
Id – Ciągły prąd drenu:	120 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 18 V, 18 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	80 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	312 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q100
Nazwa handlowa:	STripFET
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	SG
Czas zanikania:	40 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	40 ns
Seria:	STP190N55LF3
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	160 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	20 ns
Jednostka masy:	2 g