Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

STP110N8F6

Name: STMicroelectronics STP110N8F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP110N8F6
Price: 8.78 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STP110N8F6

Nr prod.:

STP110N8F6

Produc.:

STMicroelectronics

Cykl życia:

Wycofane z eksploatacji:

Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 1 602 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 1602 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Produc.:

STMicroelectronics

Nr prod.:

STP100N8F6

Opis:

MOSFETs N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 pack

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	110 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	6.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	150 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	200 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	STripFET
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	48 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	61 ns
Seria:	STP110N8F6
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	162 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	24 ns
Jednostka masy:	2 g