Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STL7DN6LF3

Name: STMicroelectronics STL7DN6LF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL7DN6LF3
Price: 9.2 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STL7DN6LF3

Nr prod.:

STL7DN6LF3

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STL7DN6LF3 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STL7DN6LF3

Na stanie magazynowym: 4 789

Stany magazynowe:: 4 789 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 13 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	9,20 zł	9,20 zł
	5,93 zł	59,30 zł
	4,07 zł	407,00 zł
	3,25 zł	1 625,00 zł
	3,12 zł	3 120,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	2,73 zł	8 190,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerFLAT-5x6-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	20 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	43 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	8.7 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	52 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q100
Nazwa handlowa:	STripFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Dual
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	STL7DN6LF3
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Jednostka masy:	76 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STL7DN6LF3 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET III™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET III™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits a high current and low R_DS(on). These STripFET Power MOSFETs have improved specific on-resistance for lower conduction losses. The planar technology used in these devices is ideal for high-efficiency, low-voltage systems.