Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

STL28N60DM2

Name: STMicroelectronics STL28N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL28N60DM2
Price: 17.24 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STL28N60DM2

Nr prod.:

STL28N60DM2

Produc.:

STMicroelectronics

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 1 256 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	17,24 zł	17,24 zł
	11,40 zł	114,00 zł
	8,90 zł	890,00 zł
	7,91 zł	3 955,00 zł
	6,75 zł	6 750,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	6,36 zł	19 080,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerFLAT-8x8-5
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	21 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	175 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	34 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	140 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	MDmesh
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	STL28N60DM2
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	180 mg