Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STL165N10F8AG

Name: STMicroelectronics STL165N10F8AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL165N10F8AG
Price: 16.72 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STL165N10F8AG

Nr prod.:

STL165N10F8AG

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STL165N10F8AG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STL165N10F8AG

Na stanie magazynowym: 1 002

Stany magazynowe:: 1 002 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	16,72 zł	16,72 zł
	10,21 zł	102,10 zł
	9,53 zł	953,00 zł
	9,20 zł	4 600,00 zł
	8,86 zł	8 860,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	4,83 zł	14 490,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerFLAT-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	158 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.2 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	90 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	167 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	19 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	17 ns
Seria:	STripFET F8
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	60 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	22 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STL165N10F8AG Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and offer a comprehensive package solution from 30V to 150V to meet all the requirements for very high-power-density solutions. These low-voltage MOSFETs feature STPOWER STripFET F8 technology. STripFET F8 technology saves energy and ensures low noise in power conversion, motor control, and power distribution circuits by cutting both on-resistance and switching losses while optimizing body-diode properties. The STMicroelectronics STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs simplify system designs and increase efficiency in applications such as automotive, computer / peripherals, data centers, telecom, solar, power supplies / converters, battery chargers, home / professional appliances, gaming, drones, and more.