STL125N8F7AG

STMicroelectronics
511-STL125N8F7AG
STL125N8F7AG

Produc.:

Opis:
MOSFETs Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 2 955

Stany magazynowe:
2 955 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 2955 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
11,52 zł 11,52 zł
7,53 zł 75,30 zł
5,20 zł 520,00 zł
4,39 zł 2 195,00 zł
4,29 zł 4 290,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
3,71 zł 11 130,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
80 V
120 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
76 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 23 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 39 ns
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 47 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 23 ns
Jednostka masy: 76 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.