STGWT20V60DF

STMicroelectronics
511-STGWT20V60DF
STGWT20V60DF

Produc.:

Opis:
IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

Cykl życia:
Wycofane z eksploatacji:
Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 600

Stany magazynowe:
600 Wysylamy natychmiast
Ilości większe niż 600 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
11,21 zł 11,21 zł
7,69 zł 76,90 zł
6,26 zł 626,00 zł
5,38 zł 3 228,00 zł
4,91 zł 5 892,00 zł

Podobny produkt

STMicroelectronics STGWA20H65DFB2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
Si
TO-3P
Through Hole
Single
600 V
2.3 V
- 20 V, 20 V
40 A
167 W
- 55 C
+ 175 C
STGWT20V60DF
Tube
Marka: STMicroelectronics
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: KR
Prąd upływowy bramka–emiter: 250 nA
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 300
Podkategoria: IGBTs
Jednostka masy: 6,756 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99