STGWA80H65DFBAG

STMicroelectronics
511-STGWA80H65DFBAG
STGWA80H65DFBAG

Produc.:

Opis:
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 235

Stany magazynowe:
235 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
23,10 zł 23,10 zł
13,65 zł 136,50 zł
11,34 zł 1 360,80 zł
10,96 zł 5 589,60 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
120 A
535 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q100
Tube
Marka: STMicroelectronics
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 30
Podkategoria: IGBTs
Jednostka masy: 6,100 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99