Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STGWA50IH65R

Name: STMicroelectronics STGWA50IH65R
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA50IH65R
Price: 18.27 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STGWA50IH65R

Nr prod.:

STGWA50IH65R

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

IGBTs Reverse-conducting 650 V, 50 A, soft-switching IHR series IGBT in a TO-247 long leads package

Dokończ swój projekt

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

STGWA50IH65R Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STGWA50IH65R

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	18,27 zł	18,27 zł
	11,93 zł	119,30 zł
	9,28 zł	928,00 zł
	7,81 zł	4 686,00 zł
	7,22 zł	8 664,00 zł
	6,76 zł	20 280,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.75 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	97 A
Pd – strata mocy:	306 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	JP
Prąd upływowy bramka–emiter:	250 nA
Rodzaj produktu:	IGBTs
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	6,153 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STGWA50IH65R Karta charakterystyki (PDF)

Technical Resources

User Manual (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

STGWA50IH65R 650V Soft-Switching IHR IGBT

STMicroelectronics STGWA50IH65R 650V Soft-Switching IHR Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced, proprietary trench-gate field-stop structure with a monolithic integrated body diode. Optimized for both conduction and switching losses, the STMicroelectronics STGWA50IH65R delivers soft commutation. This long-lead, TO-247 packaged IGBT maximizes efficiency for resonant and soft-switching applications.