STGP30H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGP30H65DFB2
STGP30H65DFB2

Produc.:

Opis:
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag

Cykl życia:
NRND:
Niezalecane dla nowych projektów.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 1000   Wielokrotności: 1000
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
3,75 zł 3 750,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
- 20 V, 20 V
Tube
Marka: STMicroelectronics
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: IGBTs
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.