STGF30H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGF30H65DFB2
STGF30H65DFB2

Produc.:

Opis:
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP pack

Cykl życia:
NRND:
Niezalecane dla nowych projektów.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 1000   Wielokrotności: 1000
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
3,28 zł 3 280,00 zł
3,26 zł 6 520,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
- 20 V, 20 V
Tube
Marka: STMicroelectronics
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: IGBTs
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99