Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

STGE200NB60S

Name: STMicroelectronics STGE200NB60S
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGE200NB60S
Price: 98.64 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STGE200NB60S

Nr prod.:

STGE200NB60S

Produc.:

STMicroelectronics

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 41

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 100

Oczekiwane: 31.08.2026
Średni czas produkcji:: 14

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Moduły IGBT
RoHS:
Produkt:	IGBT Modules
Konfiguracja:	Single Dual Emitter
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	600 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.2 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	200 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	100 nA
Pd – strata mocy:	600 W
Opakowanie/obudowa:	ISOTOP-4
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Styl mocowania:	Through Hole
Rodzaj produktu:	IGBT Modules
Seria:	STGE200NB60S
Wielkość opakowania producenta:	100
Podkategoria:	IGBTs
Technologia:	Si
Nazwa handlowa:	PowerMESH
Jednostka masy:	28 g