Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

STF11NM60N

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STF11NM60N

Nr prod.:

STF11NM60N

Produc.:

STMicroelectronics

Cykl życia:

Przestarzały/nieaktualny

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Alert dotyczący wysyłki:

Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.

Produc.:

STMicroelectronics

Nr prod.:

STF13NM60N

Opis:

MOSFETs N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
Ograniczenia dotyczące wysyłki	Firma Mouser aktualnie nie sprzedaje tego produktu w Twoim regionie.
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	10 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	450 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 25 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	25 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	Not Available
Czas zanikania:	12 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	18.5 ns
Seria:	STB11NM60
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	50 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	22 ns
Jednostka masy:	2 g