STDRIVEG611QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG611QTR
STDRIVEG611QTR

Produc.:

Opis:
Gate Drivers High voltage, high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 3000   Wielokrotności: 3000
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
5,85 zł 17 550,00 zł
5,72 zł 34 320,00 zł

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Tray
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
11,14 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
10.6 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
11 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Marka: STMicroelectronics
Napięcie wejściowe – maks.: 20 V
Napięcie wejściowe – min.: 3.3 V
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia: 60 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia: 60 ns
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Napięcie wyjścia: 520 V
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Czas propagacji – max.: 60 ns
Rds On – rezystancja dren–źródło: 7 Ohms
Zakończenie pracy: Shutdown
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: GaN
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver is a high-voltage half-bridge gate driver for N-channel Enhancement Mode GaN. The high-side driver section is designed to stand a voltage rail up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG611 optimized for driving high-speed GaN.