Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STDRIVEG600W

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STDRIVEG600W

Nr prod.:

STDRIVEG600W

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

Gate Drivers High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

Dokończ swój projekt

Cykl życia:

Zamówienie specjalne z fabryki:

Zleć zapytanie ofertowe, aby zweryfikować aktualne ceny, czas realizacji zamówienia i wymagania producenta.

Karta charakterystyki:

STDRIVEG600W Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STDRIVEG600W

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Cennik (PLN)

Wnioskuj o ofertę wyceny

Podobny produkt

Produc.:

STMicroelectronics

Nr prod.:

STDRIVEG600

Opis:

Gate Drivers High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

Porównaj z aktualną częścią

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Sterowniki bramki
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Rodzaj:	High-Side, Low-Side
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOIC-16
Liczba sterowników:	2 Driver
Liczba wyjść:	1 Output
Prąd wyjścia:	5.5 A, 6 A
Napięcie zasilania – min.:	4.75 V
Napięcie zasilania – max.:	20 V
Czas narastania:	7 ns
Czas zanikania:	5 ns
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Opakowanie:	Bulk
Marka:	STMicroelectronics
Napięcie wyjścia:	520 V
Rodzaj produktu:	Gate Drivers
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	PMIC - Power Management ICs
Technologia:	GaN

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STDRIVEG600W Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-7-29 (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.