Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

STD6N60DM2

Name: STMicroelectronics STD6N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD6N60DM2
Price: 7.53 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STD6N60DM2

Nr prod.:

STD6N60DM2

Produc.:

STMicroelectronics

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Stany magazynowe:: 2 132 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	7,53 zł	7,53 zł
	4,77 zł	47,70 zł
	3,20 zł	320,00 zł
	2,62 zł	1 310,00 zł
	2,30 zł	2 300,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	1,95 zł	4 875,00 zł
	1,90 zł	9 500,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	3.2 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.1 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.25 V
Qg – ładunek bramki:	6.2 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	60 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	MDmesh
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	19.6 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	5.6 ns
Seria:	STD6N60DM2
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	12 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9.2 ns
Jednostka masy:	360 mg